Ge T. P. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Wang C. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Yu X. H. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Jin C. Q. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Wang W. H. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Bai H. Y. について
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China and University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China について
Journal of Applied Physics について
自由体積 について
エンタルピー について
金属ガラス について
地金 について
ガラス について
エネルギー について
高圧 について
セリウム について
緻密化 について
弾性係数 について
時効 について
硬度 について
低エネルギー について
エネルギー状態 について
半導体の格子欠陥 について
高圧 について
Ce について
ベース金属 について
ガラス について
エネルギー状態 について
発展 について