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J-GLOBAL ID：201902288236891218   整理番号：19A0514747

新しいテラヘルツナノ導波路増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a New Terahertz Nanowaveguide Amplifier

著者 (2件)： Cada Michal (Department of Electrical and Computer Engineering, Dalhousie University, Halifax, NS, Canada) ,  Pistora Jaromir (Nanotechnology Center, VSB-Technical University of Ostrava, Ostrava-Poruba, Czech Republic)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 3  ページ： ROMBUNNO.2200905.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テラヘルツ波を支えるナノ構造導波路に基づいて,新しい増幅器を提案した。dc電圧でバイアスされ,連続波光で照射された横ピンフォトダイオード構造は増幅媒体として働き,光発生電子のドリフトが増幅に必要なエネルギーを提供する。伝搬するテラヘルツ誘導波とドリフト電子流の間の相互作用を解析し,分散方程式を導出した。シリコンの実際の寿命パラメータを用いて,達成可能な性能を実証し,例示した。すべての損失機構が考慮されている場合においても,1μm以上の波動パワーの倍増が可能であることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  ナノ構造 ,  *導波路 ,  *増幅器 ,  連続波 ,  ドリフト ,  ケイ素 ,  波動 ,  媒質 ,  相互作用 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 電子流 ,  PINフォトダイオード ,  *ナノ導波路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： テラヘルツ ,  ナノ導波路 ,  増幅器 ,  設計