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J-GLOBAL ID：201902288251923851   整理番号：19A1775221

電子再分布により誘起された二層六方晶系窒化ホウ素ナノシート間の層間摩擦の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of interlayer friction between bilayer hexagonal boron nitride nanosheets induced by electron redistribution

著者 (7件)： Zhang Jing (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Bai Yongqing (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  An Lulu (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Zhang Bin (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Zhang Junyan (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Yu Yuanlie (State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, People’s Republic of China) ,  Wang Chun-Ming (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 3  ページ： 035104-035104-11  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素ナノシート(h-BNNS)間の界面摩擦の減少は,ナノ電気機械システムにおけるそれらの応用にとって重要である。本研究では,電子分布状態と対応する摩擦性能の間の関係の理論的計算に基づいて,h-BNNS二分子層の層間摩擦を低減するための電子再分布を調整する新しい方法を提案した。モデルとしてフッ化物h-BNNS二分子層を用いた密度汎関数理論に基づいて理論計算を行った。計算は,フッ素原子がh-BNNSに強く結合し,電子再分布を促進し,h-BNNS二分子層の興味ある表面挙動を誘導することを示唆した。フッ素ドーピング比がさらに増加すると,フッ素ドーピングは層間摩擦を減少させ,上部層を曲げさえすることさえできる。この曲げは,上部層滑りを低いものと比較して促進し,超潤滑性を達成した。還元は層間と層内の電子移動に関係し,これは電子再分布から生じる層間の静電とvan der Waals相互作用の変化に起因する。本研究は,二次元ナノ材料の摩擦特性を制御するための新しい戦略を開き,実験解析のための好ましい証明を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ材料 ,  *ナノシート ,  二次元 ,  電子移動 ,  密度汎関数法 ,  フッ素 ,  *再分布 ,  二分子層 ,  van der Waals力 ,  ドーピング ,  フッ化物
準シソーラス用語： 摩擦特性 ,  超潤滑 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  再分布 ,  誘起 ,  二層 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  ナノシート ,  摩擦