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J-GLOBAL ID：201902288428529229   整理番号：19A0658553

CuFeO_2光電陰極における電荷キャリア輸送と表面状態の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluating Charge Carrier Transport and Surface States in CuFeO₂ Photocathodes

著者 (9件)： Prevot Mathieu S. (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Jeanbourquin Xavier A. (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Bouree Wiktor S. (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Abdi Fatwa (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institute for Solar Fuels, Germany) ,  Friedrich Dennis (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institute for Solar Fuels, Germany) ,  van de Krol Roel (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institute for Solar Fuels, Germany) ,  Guijarro Nestor (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Le Formal Florian (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Sivula Kevin (Laboratory for Molecular Engineering of Optoelectronic Nanomaterials, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 11  ページ： 4952-4962  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電気化学(PEC)太陽燃料生産のための候補p型光電陰極としてのデラフォサイト(CuFeO_2)への関心は,水性環境における優れた安定性と好ましい光吸収特性のために最近増加している。しかし,そのPEC性能は,まだ特別に決定されていない理由に対して,不十分なままであった。ここでは,このvにおける光発生電荷キャリア収穫を支配する材料特性を明らかにすることを目的とした,分光学的,PEC,および顕微鏡技術の範囲を有するゾル-ゲル処理CuFeO_2に関する詳細な研究を報告する。マイクロ波伝導率測定を用いたバルク輸送特性の解析は,光発生電荷キャリアに対して良好な電荷キャリア移動度(0.2cm~2V~-1s-1)と比較的長い寿命(200ns)を明らかにした。逆に,種々の酸化還元系による系統的PEC測定は,伝導帯の上に0.35eVに位置する高密度の表面状態(10~14cm-2)の存在を明らかにし,半導体-液体接合におけるFermi準位ピン止めを誘起した。X線光電子分光法は,材料表面に金属水酸化物の薄層が存在することを示唆した。これらの表面状態は電子トラップとして振舞うことが分かり,半導体の表面での極性の反転と相関し,それにより電荷再結合を促進し,接合で発達した光電圧を制限した。これらの知見は,表面状態の有害な効果が除去できるならば,CuFeO_2は,容易に拡張可能なタンデムPECセルへの他の溶液処理および安定な光アノードと組み合わせるための十分に高い光起電力を提供することを示唆する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  伝導バンド ,  光電気化学 ,  電圧 ,  Fermi準位 ,  薄膜 ,  *光電陰極 ,  直列接続 ,  キャリア移動度 ,  X線光電子スペクトル ,  半導体 ,  ゾル-ゲル法 ,  X線光電子分光法 ,  酸化還元反応
準シソーラス用語： デラフォサイト ,  *電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光電陰極 ,  電荷 ,  キャリア輸送 ,  評価