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J-GLOBAL ID：201902288469512419   整理番号：19A0307568

HfO_2/SiO_2 MOSスタック構造における界面双極子変調【JST・京大機械翻訳】

Interface Dipole Modulation in HfO₂/SiO₂ MOS Stack Structures

著者 (6件)： Miyata Noriyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Nara Jun (National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Yamasaki Takahiro (National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sumita Kyoko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Sano Ryousuke (Tokyo City University, Setagaya-ku, Tokyo, Japan) ,  Nohira Hiroshi (Tokyo City University, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEDM  ページ： 7.6.1-7.6.4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2/1-ML TiO_2/SiO_2MOSスタック構造における電場誘起界面双極子変調(IDM)を報告した。IDMの実験的証拠を示し,電場による界面Ti-O配置の再配列を理論的に実証し,電位変調を引き起こすことを示した。多重双極子変調層を有する多層HfO_2/SiO_2MOSFETは,低温プロセス,実用的メモリウィンドウ,および安定した潜在的スイッチングの観点から有望である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  多層 ,  電場 ,  *双極子 ,  電位 ,  多重化 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 低温プロセス ,  再配列 ,  *界面双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS ,  スタック ,  界面双極子 ,  変調