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J-GLOBAL ID:201902288555611603   整理番号:19A0795438

二次元構造を持つスズ(II)チオシアン酸塩Sn(NCS)_2-A広バンドギャップ配位重合体半導体【JST・京大機械翻訳】

Tin(ii) thiocyanate Sn(NCS)2- a wide band gap coordination polymer semiconductor with a 2D structure
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 12  ページ: 3452-3462  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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スズ(II)に基づく半導体は価電子帯を形成する5s電子による有望な正孔輸送特性を示す。本論文では,スズ(II)チオシアン酸塩[Sn(NCS)_2]の合成と包括的特性化を報告し,それを新しい透明配位高分子半導体として同定した。単結晶X線解析は,Sn-Sテトレール結合を通して2D構造を形成する共有結合した1D高分子鎖を明らかにした。密度汎関数理論計算により,2Dシート間のvan der Waals相互作用の重要性を確認した。さらに,Sn(II)のs特性は価電子帯の頂部に維持され,小さな正孔有効質量をもつ分散状態をもたらすことを示した。NCS配位子との配位もエネルギーが高い伝導帯をもたらし,可視スペクトルにおいて広いバンドギャップと優れた透明性をもたらした。これは,チオシアン酸塩配位重合体に基づく新しい透明半導体の開発の可能性を強調するSn(NCS)_2の電子特性に関する最初の報告である。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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塩  ,  その他の無機化合物の磁性  ,  無機化合物一般及び元素 

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