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J-GLOBAL ID：201902288662416014   整理番号：19A1309227

TaN/CeO_2/Ti/Ptメモリデバイスにおける単極から双極,多準位スイッチング,急峻および段階的リセット現象への遷移【JST・京大機械翻訳】

Transition from unipolar to bipolar, multilevel switching, abrupt and gradual reset phenomena in a TaN/CeO₂/Ti: /Pt memory devices

著者 (5件)： Rana Anwar Manzoor (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan, 60800, Pakistan) ,  Ismail Muhammad (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju, 28644, Republic of Korea) ,  Akber Tahira (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan, 60800, Pakistan) ,  Younus Nadeem M. (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan, 60800, Pakistan) ,  Kim Sungjun (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju, 28644, Republic of Korea)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 117  ページ： 41-47  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TaN/CeO_2/Ti:Ptメモリ素子における単極性から双極性スイッチングへの遷移,多準位抵抗スイッチング,急峻で段階的リセット現象を報告した。マルチレベル抵抗スイッチングは,セットプロセスにおける電流コンプライアンスを変えることによって,首尾よく得ることができた。セットプロセスの間の電流コンプライアンスの値の増加は,デバイスのセット電圧を減少させ,そして,それぞれ低および高抵抗状態を減少させることが観察された。さらに,Ta/CeO_2/Ti:Ptメモリセルにおける急激で段階的なリセット転移の共存も観察した。この素子は,耐久性能,素子間可変性(D2D),良好な保持時間10~4sのような優れたバイポーラ抵抗スイッチング特性を示した。TaN上部電極の酸化はCeO_2膜とのOhm接触を作り,したがって,抵抗スイッチングの原因となるスイッチング層に正に帯電した酸素空格子点を注入する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンプライアンス ,  記憶素子 ,  耐久性 ,  保持時間 ,  Ohm接触 ,  電流 ,  電圧 ,  *スイッチング ,  *記憶装置
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  スイッチング特性 ,  バイポーラ ,  マルチレベル ,  抵抗スイッチング ,  単極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： リセット遷移 ,  酸素空孔 ,  TAN ,  CeO_2スイッチング層 ,  Schottky放射

分類 (4件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ti ,  Pt ,  メモリデバイス ,  極 ,  スイッチング ,  段階 ,  リセット ,  現象 ,  遷移