文献

J-GLOBAL ID：201902288916941233   整理番号：19A1888138

Mott臨界密度以上の原子層堆積ZnO/TiO_x多重積層薄膜の光学特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating Optical Properties of Atomic Layer Deposited ZnO/TiO_x Multi-stacked Thin Films Above Mott Critical Density

著者 (4件)： Saha Debabrata (Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, India) ,  Misra P. (Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, India) ,  Joshi M. P. (Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, India) ,  Kukreja L. M. (Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, India)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 33  ページ： 18129-18136  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパント濃度による光学的性質の発展を,絶縁体から金属への転移のMott臨界限界を超える電子密度をもつZnO/TiO_x多重積層層について調べた。これらの膜は,原子層堆積を用いて(0001)サファイア基板上に垂直積層多重ZnO/TiO_x二分子層により成長させた。まばらにドープされた領域の膜は室温UV光ルミネセンス(PL)を示したが,透明で,本質的に非常に縮退していた。これらの膜の光吸収スペクトルは励起子共鳴のいかなる特徴も示さず,金属限界における可能な励起子Mott転移を示した。低温PLスペクトルもこの観測を支持し,バンドからバンドへの発光に典型的な線形特性を示した。高エネルギー端でのPL発光の鋭いカットオフは伝導帯内部のFermi準位に対応する。対照的に,広い低エネルギー翼は,ポテンシャル変動誘起バンドテーリング効果によって洗浄された状態の結合密度によって決定される。キャリア密度の増加による高エネルギーPL端の系統的な青方偏移は,膜の光吸収スペクトルを説明する際に考慮されているバンド充填の効果に似ている。本研究の結果は,原子層蒸着における多重積層ドーパント組込み方式が,格子中の無秩序強度を最小化しながら,キャリア濃度を増加させるのに非常に有用であることを実証した。それは,最終的に,同調可能な電気伝導率を有する高い光学的品質のZnO膜をもたらした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 同調 ,  *酸化亜鉛 ,  伝導バンド ,  ルミネセンス ,  発光 ,  光吸収スペクトル ,  *臨界 ,  *多層膜 ,  ドーピング ,  励起子 ,  *多重化 ,  Fermi準位 ,  ドーパント ,  低温 ,  Mott転移

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 臨界密度 ,  原子層堆積 ,  ZnO ,  多重積層 ,  薄膜 ,  光学特性 ,  研究