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J-GLOBAL ID：201902288948404905   整理番号：19A1415603

グラフェン/MOS_2界面の構造と電子特性の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS₂ interfaces

著者 (7件)： Hieu Nguyen Ngoc (Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, Vietnam) ,  Phuc Huynh Vinh (Division of Theoretical Physics, Dong Thap University, Dong Thap, Vietnam) ,  Ilyasov Victor V. (Department of Physics, Don State Technical University, Rostov on Don, Russia) ,  Chien Nguyen D. (School of Engineering Physics, Hanoi University of Science and Technology, Ha Noi, Vietnam) ,  Poklonski Nikolai A. (Department of Physics, Belarusian State University, Minsk, Belarus) ,  Van Hieu Nguyen (Department of Physics, University of Education, The University of Da Nang, Da Nang, Vietnam) ,  Nguyen Chuong V. (Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, Vietnam)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 10  ページ： 104301-104301-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,分散補正密度汎関数理論を用いて,異なる積層配置を有するMoS_2単分子層(G/MoS_2)上に吸着したグラフェンの構造的および電子的性質を研究した。著者らの計算は,グラフェンとMoS_2単分子層の間の相互作用が,-30meVの炭素原子当たりの結合エネルギーを有する4つの積層配置における弱いvan der Waals相互作用であることを示した。MoS_2単分子層の存在下で,界面におけるグラフェンのDirac円錐上の線形バンドはわずかに分割された。固有界面双極子による副格子対称性の破れにより,G/MoS_2界面に約3meVのバンドギャップが開き,積層配置により効果的に変調できた。さらに,n型Schottky接触が,約0.49eVの小さいSchottky障壁をもつ4つの積層配置においてG/MoS_2界面で形成されることを見出した。グラフェンにおける非ゼロバンドギャップの出現は,グラフェン電界効果トランジスタのような電子デバイスへの応用のための新しい可能性を開いた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  副格子 ,  相互作用 ,  *第一原理 ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン ,  *界面 ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  線形性 ,  van der Waals力 ,  Schottky障壁 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 電子素子 ,  界面双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  界面 ,  電子 ,  第一原理 ,  研究