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J-GLOBAL ID:201902289013247059   整理番号:19A0514545

グラフェン-シリコン横スロット幾何構造に基づく調整可能な分散導波路【JST・京大機械翻訳】

A Tunable Dispersion Waveguide Based on Graphene-Silicon Lateral Slot Geometric Structure
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: ROMBUNNO.7801109.1-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2436A  ISSN: 1943-0655  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,グラフェンの三層を有するハイブリッドグラフェン-シリコン(HYGS)スロット導波路の分散プロファイルを調べた。グラフェン層上のバイアス電圧を調整することにより,HYGSスロット導波路のゼロ分散波長(ZDW)を動的かつ効果的に調整できる。小さな擾乱電圧(6V)で,導波路の幾何学的構造を変える必要がなく,大きなZDW同調量(200nm)を達成し,数値シミュレーションで検証した。さらに,HYGSスロット導波路の分散曲線は,ZDWの近傍において十分に平坦(2ps/nm~2km以下の群速度分散スロープ)であった。この導波路は集積光学素子やグラフェン関連能動光学素子などの応用に非常に有益である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
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符号理論  ,  楽器音響  ,  音波伝搬  ,  通信方式一般  ,  信号理論 
タイトルに関連する用語 (5件):
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