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J-GLOBAL ID：201902289014748748   整理番号：19A0001311

SiC/GaNなど次世代パワー半導体の現在技術と将来技術 パワーデバイス GaNパワーデバイスの現状と今後の展望

著者 (1件)： 上田哲三 (パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 インダストリアル事業開発セ)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 67  号： 1  ページ： 22-26  発行年： 2019年01月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・次世代パワーデバイス用材料として期待されるGaNの特徴とSi基板上結晶成長技術,Si基板上横型GaNパワーデバイスの現状と応用事例の紹介。
・Si基板上横型GaNパワーデバイスのGaNトランジスタの断面構造と動作原理,ハイブリッドGaNトランジスタの断面構造の解説。
・さらに,将来技術としてGaN基板上縦型GaNパワーデバイスで低オン抵抗且つ高耐圧特性を実現した結果の紹介。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  気相成長 ,  絶縁耐力 ,  ヘテロ接合 ,  *電力トランジスタ ,  電力変換器 ,  オン抵抗 ,  技術展望 ,  ケイ素 ,  アルミニウム化合物 ,  パワーエレクトロニクス ,  AC/DCコンバータ ,  高耐圧 ,  シリコンウエハ ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： Si基板 ,  *パワーデバイス ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  GaN ,  次世代 ,  パワー半導体 ,  将来 ,  パワーデバイス ,  GaNパワーデバイス ,  現状 ,  展望