文献

J-GLOBAL ID：201902289080310710   整理番号：19A1761910

PdおよびAu金属接触を用いたAl-ZnO系Schottky障壁ダイオードの作製と特性評価の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative study of fabrication and characterization of Al-ZnO based Schottky barrier diodes using Pd and Au metal contacts

著者 (5件)： Singh Manisha R. (Department of E &C Engg., SET, Sharda University, Greater Noida, U.P, India) ,  Sahni Mohit (Department of Physics, SBSR, Sharda University, Greater Noida, U.P, India) ,  Singh Munendra (Department of Physics, SBSR, Sharda University, Greater Noida, U.P, India) ,  Bhattacharya Bhaskar (Department of Physics, MMV, Banaras Hindu University, Varanasi, U.P, India) ,  Kumar Naresh (Department of Physics, MNNIT, Allahabad, U.P, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 14  ページ： 13280-13289  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,2種類の表面障壁ダイオード(SBD)の比較研究を示した。RFマグネトロンスパッタリングを用いて,2つの異なる温度(100および300°C)でAlドープZnO膜(Al_0.02Zn_0.98O)を作製し,次に,これらの薄膜の構造的および光学的性質を得て,SEM,AFM,XRD,EDXおよびUV-Vis分光法を用いて解析した。次に,ヘテロ接合層Pd/アール-ZnO/p-Si(SBD_1)&Au/アール-ZnO/p-Si(SBD_2)を,これらのAl-ZnO膜(両方の温度で開発)を用いて調製した。両方のSBDの理想因子,障壁電位およびキャリア濃度に及ぼす光学的および電気的性質および温度の影響も研究した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  薄膜 ,  *パラジウム ,  電位 ,  光学的性質 ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  キャリア密度 ,  *酸化亜鉛 ,  *キャラクタリゼーション ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 理想因子 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pd ,  Au ,  Al ,  ZnO ,  Schottky障壁ダイオード ,  作製 ,  特性評価 ,  研究