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J-GLOBAL ID：201902289173104795   整理番号：19A1387968

SiGe BiCMOS 130nmにおける電圧利得制御によるアクティブ可変同調帯域フィルタ【JST・京大機械翻訳】

Active Tunable Bandpass Filter with Voltage Gain Control in SiGe BiCMOS 130 nm

著者 (5件)： Erokhin V. V. (Radionavigation system engineer of the Research Division of the Department of Wireless Equipment, Diagnostic Systems of Omsk State Technical University) ,  Murasov K. V. (PhD in Engineering, Senior Staff Scientist of the Research Division of the Department of Wireless Equipment, Diagnostic Systems of Omsk State Technical University) ,  Kosykh A. V. (Professor, Doctor of Engineering, Rector of Omsk State Technical University) ,  Zavyalov S. A. (PhD in Engineering, Associate Professor of the Department of Wireless Equipment, Diagnostic Systems of Omsk State Technical University) ,  Koemec D. A. (Junior Staff Scientist of the Research Division of the Department of Wireless Equipment, Diagnostic Systems of Omsk State Technical University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： SIBCON  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,IPブロックとして,または完全な機能デバイスとして使用されるように設計された電圧利得制御による能動可変同調帯域通過フィルタについて述べた。130nmシリコン-ゲルマニウム(SiGe)BiCMOSの標準プロセスでフィルタを開発した。フィルタの概略とレイアウトを開発し,実験プロトタイプを生産に送った。その面積は0.96mm2を超えず,フィルタコアの面積は0.23mm2以下である。電圧利得制御によるアクティブ同調可能帯域通過フィルタの概略とレイアウトのモデリングを,Cadenceソフトウェアにおいて実行した。モデリングの結果,開発したフィルタの次の特性を測定した。消費電流は51mA以下である。電圧利得は0から21.5dBまで調整した。低いカットオフ周波数は97.8MHz±2.2MHz;上部カットオフ周波数は0.5GHzから3.0GHzまで同調した。帯域幅における入力電圧定在波比は1.597以下である。帯域幅における出力電圧定在波比は1.941を超えない。帯域幅におけるIPブロックの雑音指数は9.9dB未満である。帯域幅における実験プロトタイプの雑音指数は,15.4dB未満である。このフィルタは-60°Cから+100°Cの動作温度範囲でこれらの特性を安全にすることが分かった。これは技術的要求と完全に一致した。広い範囲の帯域幅同調,電圧利得制御,動作温度,小面積および電流消費は,任意の電子システムにおいてフィルタを使用する機会を与える。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フィルタ ,  *BiCMOS ,  VSWR ,  *同調 ,  ソフトウェア ,  モデリング ,  雑音指数 ,  帯域幅 ,  プロトタイプ ,  電流 ,  遮断周波数 ,  *帯域フィルタ
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  *可変同調 ,  *電圧利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  フィルタ一般  (NC04021I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  BiCMOS ,  電圧利得 ,  可変同調 ,  帯域フィルタ