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J-GLOBAL ID：201902289305282002   整理番号：19A2913743

プラズマCVDによりDLC全面成膜したシリコン薄膜の引張強度とばらつきの解析

著者 (4件)： ZHANG Wenlei (京大) ,  平井義和 (京大) ,  土屋智由 (京大) ,  田畑修 (京大)
資料名： 日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム(CD-ROM))
巻： 8th  ページ： ROMBUNNO.02pm1-PN-129  発行年： 2017年 
JST資料番号： L8358B  ISSN： 2432-9495  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,成膜時の基板バイアス電圧を制御して,シリコン構造体の引張強度を向上させるため,構造体の全面に5条件で150nmのDLC薄膜をPECVD成膜した.成膜バイアスが膜の機械特性に与える影響,試験片の引張強度及び強度ばらつきの改善について分析を行った.その結果,負バイアス電圧の増加に伴い,膜の硬さと内部応力が上昇し,引張強度のばらつきも減少した.また,バイアス電圧-400Vで引張強度が最も高くなった.DLCコーティングがシリコンMEMS構造体の引張強度,信頼性を向上させる有効な方法であることを見出した.(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *半導体薄膜 ,  *引張強さ ,  分散【variance】 ,  電圧制御 ,  DLC膜 ,  電圧
準シソーラス用語： *シリコン薄膜 ,  バイアス電圧 ,  ばらつき

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマCVD ,  DLC ,  成膜 ,  シリコン薄膜 ,  引張強度 ,  ばらつき ,  解析