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J-GLOBAL ID：201902289353780679   整理番号：19A1332232

サブTHz集積回路応用のための低抵抗シリコン上の多チャネルAlGaN/GaN横方向Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Multi-Channel AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes on Low-Resistivity Silicon for Sub-THz Integrated Circuits Applications

著者 (6件)： Eblabla A. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Li X. (School of Engineering, The University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Alathbah M. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Wu Z. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Lees J. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Elgaid K. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 6  ページ： 878-880  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,低抵抗率(LR)(σ=0.02Ωcm)シリコン基板上のAlGaN/GaNに基づく新しい多チャネルRF横方向Schottky障壁ダイオード(SBD)を提示した。開発した技術は,従来の横方向SBDと比較して,Schottky障壁高さΦ_nを低下させた結果,開始電圧の37%,V_ON(1.34から0.84Vまで),およびON抵抗の36%,R_ON(1.52から0.97からΩmm)の減少を提供した。逆破壊電圧および逆バイアス漏れ電流性能における妥協は,多チャネルおよび従来の技術の両方が,それぞれ(V_BV>30V)のV_BVおよび(I_R<38μA/mm)のI_Rを示したので,観察されなかった。さらに,正確な小信号等価回路モデルを開発し,110GHzまでの周波数に対して検証した。作製した素子は0.6THzまでのカットオフ周波数を示し,高効率,高周波集積回路応用のためのLRシリコン上への横AlGaN/GaN SBDの利用可能性を実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *ケイ素 ,  電圧 ,  漏れ電流 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： RFIC ,  高効率 ,  等価回路モデル ,  逆バイアス ,  絶縁破壊電圧 ,  Schottky障壁高さ ,  シリコンウエハ ,  *AlGaN/GaN ,  *マルチチャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： サブ ,  集積回路 ,  応用 ,  低抵抗 ,  シリコン ,  多チャネル ,  AlGaN ,  GaN ,  横方向 ,  Schottky障壁ダイオード