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J-GLOBAL ID：201902289570054570   整理番号：19A1414439

一次反転曲線からの反強誘電性への洞察【JST・京大機械翻訳】

Insights into antiferroelectrics from first-order reversal curves

著者 (5件)： Hoffmann Michael (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany) ,  Schenk Tony (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany) ,  Pesic Milan (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 18  ページ： 182902-182902-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反強誘電(AFE)HfO_2とZrO_2ベース薄膜はエネルギーと低電力計算関連応用に有望である。ここでは,一次反転曲線(FORCs)により,10nmの薄いAFE Si:HFO_2膜を調べた。分極電圧,容量-電圧およびX線回折測定により,正方晶相から生じる典型的なAFE挙動を確認した。FORC解析により,典型的な強誘電HfO_2およびZrO_2膜におけるそれより少なくとも4倍低い,約0.23MV/cmの保磁力の狭い分布をもつ2つの反対バイアスのスイッチング密度ピークを明らかにした。内部バイアス場軸に沿った分布は,抗電場の分布と比較してはるかに広い。10~8電場サイクルまでのスイッチング密度の大きさと保磁力の例外的な安定性を実証した。サイクルにより内部バイアス場のわずかな減少が観測された。これらの結果は,強化された効率とエネルギー貯蔵密度を有するAFEスーパーキャパシタと同様に,強誘電体HfO_2とZrO_2ベースのデバイスの改良されたサイクル安定性と可変性への経路を強調した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  保磁力 ,  *反強誘電性 ,  エネルギー貯蔵 ,  正方晶系 ,  スイッチング ,  抗電場 ,  *曲線 ,  分極 ,  電場 ,  強誘電体 ,  電圧 ,  薄膜 ,  バイアス
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 反強誘電性 ,  洞察