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J-GLOBAL ID：201902289630752915   整理番号：19A1414473

有機-無機ハイブリッドメモリのための高分子/シリコン界面を通した2つの論理状態の達成【JST・京大機械翻訳】

Achievement of two logical states through a polymer/silicon interface for organic-inorganic hybrid memory

著者 (8件)： Chen Jianhui (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Chen Bingbing (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Shen Yanjiao (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Guo Jianxin (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Liu Baoting (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Dai Xiuhong (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Xu Ying (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China) ,  Mai Yaohua (Hebei Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 19  ページ： 191601-191601-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少数キャリア寿命対電圧のヒステリシスループを,ポリスチレンスルホン酸塩(PSS)/Si有機-無機ハイブリッドヘテロ接合において見出し,界面メモリ効果を意味した。容量-電圧およびコンダクタンス-電圧ヒステリシスループを観測し,メモリウィンドウを明らかにした。電気化学的酸化/脱酸素過程に基づく電荷移動により制御できるスイッチ可能な界面状態がこのヒステリシス効果の原因であることを示唆した。Si上のPSSの吸着エネルギーに対する界面状態に注入される外部電場と電子または正孔の影響に関する第一原理全エネルギー計算を行った。電場に対する界面吸着エネルギー差の依存性がこの二状態スイッチングの起源であることを実証した。これらの結果は,有機-無機ハイブリッド界面メモリの概念を提供し,光学的または電気的に読みやすく,低コストで,柔軟な有機エレクトロニクスと互換性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  電場 ,  *有機-無機ハイブリッド ,  *ケイ素 ,  スイッチ ,  ヘテロ接合 ,  *記憶装置 ,  電圧 ,  正孔 ,  第一原理 ,  *界面 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 有機エレクトロニクス ,  外部電場 ,  ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機-無機ハイブリッド ,  高分子 ,  シリコン ,  界面 ,  論理