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J-GLOBAL ID：201902289914158468   整理番号：19A1758361

ヨウ化ゲルマニウムペロブスカイトAgGe_3(A=K,Rb,Cs)の光電子特性 第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic properties of germanium iodide perovskites AGeI₃ (A = K, Rb and Cs): first principles investigations

著者 (9件)： Houari M. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Bouadjemi B. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Matougui M. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Haid S. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Lantri T. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Aziz Z. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Bentata S. (Laboratory of Technology and of Solids Properties, Abdelhamid Ibn Badis University, Mostaganem, Algeria) ,  Bentata S. (Mustapha Stambouli University of Mascara, Mascara, Algeria) ,  Bouhafs B. (Laboratoire de Modelisation et Simulation en Sciences des Materiaux, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel-Abbes, Sidi Bel Abbes, Algeria)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 51  号： 7  ページ： 1-14  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ポテンシャル交換相関のための一般化勾配近似(GGA)を用いた密度汎関数理論を用いて,AgeI_3(A=K,RbおよびCs)の構造的,光電子的および弾性的性質を調べた。修正Becke-Johnson(mBJ-GGA)ポテンシャル近似を用いて,材料の光電子特性を計算した。結果は,ペロブスカイトAgeI_3(R-R方向で直接バンドギャップを持つ半導体挙動,mBJ-GGAで計算したギャップエネルギー値,それぞれ0.58,0.63,および0.71eV)のバンド構造を示した。誘電関数,屈折率,反射率,伝導率及び吸収係数の実部及び虚部のような光学的性質を調べた。結果として,これらの化合物は光ハーベスタのような有望な候補光起電力応用である。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヨウ素化 ,  吸収係数 ,  密度汎関数法 ,  屈折率 ,  バンド構造 ,  近似法 ,  半導体 ,  誘電関数 ,  反射率 ,  光起電力 ,  弾性 ,  *光電子 ,  *第一原理
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論(DFT) ,  ハロゲン化物ペロブスカイト ,  半導体 ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： ヨウ化 ,  ゲルマニウム ,  ペロブスカイト ,  Rb ,  Cs ,  光電子 ,  第一原理 ,  研究