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J-GLOBAL ID：201902290228982891   整理番号：19A1376328

Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価

著者 (7件)： 雛川貴弘 (大阪大 大学院) ,  坂根駿也 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  藤田武志 (JST-CREST) ,  藤田武志 (高知工科大) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-W834-13  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【目的】IoTセンサの駆動用電力源としてエネルギーハーベスティングが注目されている。センサが実装されるSiプラットフォームとの整合性、小型自立電源としての有用性から、Si基板上薄膜熱電材料の開発が期待されている。低温領域において高い無次元性...【本文一部表示】

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  擬ギャップ ,  *ケイ化物 ,  *コバルト化合物 ,  *金属薄膜 ,  MBE成長 ,  RHEED ,  X線回折 ,  *熱電効果
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *ケイ化コバルト ,  *半金属薄膜 ,  XRD分析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si基板 ,  擬ギャップ ,  性能評価