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J-GLOBAL ID：201902290585031411   整理番号：19A1975900

光起電力応用のためのCs_2AgBiBr_6二重ペロブスカイトの堆積ルート【JST・京大機械翻訳】

Deposition routes of Cs₂AgBiBr₆ double perovskites for photovoltaic applications

著者 (5件)： Pantaler Martina (Institute for Materials Science and Center of Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), University of Duisburg-Essen, Universitaetsstrasse 15, 45141 Essen, Germany) ,  Fettkenhauer Christian (Institute for Materials Science and Center of Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), University of Duisburg-Essen, Universitaetsstrasse 15, 45141 Essen, Germany) ,  Nguyen Hoang L. (Institute for Materials Science and Center of Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), University of Duisburg-Essen, Universitaetsstrasse 15, 45141 Essen, Germany) ,  Anusca Irina (Institute for Materials Science and Center of Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), University of Duisburg-Essen, Universitaetsstrasse 15, 45141 Essen, Germany) ,  Lupascu Doru C. (Institute for Materials Science and Center of Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), University of Duisburg-Essen, Universitaetsstrasse 15, 45141 Essen, Germany)
資料名： MRS Advances  (MRS Advances)
巻： 3  号： 32  ページ： 1819-1823  発行年： 2018年 
JST資料番号： W5489A  ISSN： 2059-8521  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 要約:鉛フリー二重ペロブスカイトCs_2AgBiBr_6は,ペロブスカイト太陽電池における吸収体材料としての鉛ベースのペロブスカイトに対する将来的な代替法である。これまで,この興味深い材料に関する多くの研究は,多結晶粉末と単結晶に焦点を合わせてきた。Cs_2AgBiBr_6薄膜の調製のための蒸気と溶液ベースのアプローチを提示した。異なる前駆体から出発する逐次蒸着プロセスを示し,それらの弱点を議論した。Cs_2AgBiBr_6の単一ソース蒸発とCs_3Bi_2Br_9とAgBrの逐次堆積は,二重ペロブスカイト相の形成をもたらす。さらに,スピンコーティングによる平面Cs_2AgBiBr_6薄膜の調製の可能性を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単結晶 ,  蒸発 ,  粉体 ,  スピンコーティング ,  前駆体 ,  鉛 ,  吸収体 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *光起電力 ,  薄膜 ,  多結晶
準シソーラス用語： ペロブスカイト太陽電池 ,  鉛フリー ,  *ダブルペロブスカイト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： エネルギー発生 ,  化学蒸着(CVD)(CVD) ,  光学

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光起電力 ,  応用 ,  二重ペロブスカイト ,  堆積