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J-GLOBAL ID：201902290621776575   整理番号：19A1415966

高純度ニオブにおける磁束排除とピン止めに関する磁気光学研究【JST・京大機械翻訳】

A magneto-optical study on magnetic flux expulsion and pinning in high-purity niobium

著者 (5件)： Koszegi J. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, Germany) ,  Kugeler O. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, Germany) ,  Abou-Ras D. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, Germany) ,  Knobloch J. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin, Germany) ,  Schaefer R. (Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW) Dresden, Institute for Metallic Materials, Helmholtzstr. 20, 01069 Dresden, Germany and Institute for Materials Science, TU Dresden, 01062 Dresden, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 17  ページ： 173901-173901-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場冷却後の高純度ニオブ試料内部にトラップされた磁束を,指標膜を用いた間接磁気光学イメージングにより調べた。検出された磁場を相転移中に存在する磁場と比較し,トラップされた磁束の分布を調べた。インゴットと1400°Cで4時間加熱した試料から切断した未処理試料について測定を行った。未処理ニオブについては,トラップされたフラックスは均一に分布しており,相転移中にほとんど全ての印加場がトラップされていることが分かった。対照的に,熱処理ニオブは著しく減少したトラッピングを示した。いずれも結晶粒界はピン止め中心として主要な役割を果たさず,結晶方位はトラップされたフラックスの量に著しく影響し,これは最近の仮定に反している。しかし,低温から低温への冷却段階の間に形成されたニオブ水素化物はトラッピングをかなり高めることが分かった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  低温 ,  磁場 ,  *磁束 ,  水素化物 ,  *ニオブ ,  熱処理 ,  結晶粒界 ,  *ピン止め ,  相転移 ,  インゴット
準シソーラス用語： トラッピング ,  印加電圧 ,  磁場中冷却法 ,  *高純度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高純度 ,  ニオブ ,  磁束 ,  排除 ,  ピン止め ,  磁気光学 ,  研究