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J-GLOBAL ID：201902290805747785   整理番号：19A0515283

低圧近接蒸発法による効率的な平面ヘテロ接合ペロブスカイト太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Efficient Planar Heterojunction Perovskite Solar Cells via Low-Pressure Proximity Evaporation Technique

著者 (6件)： Lin Sheng-Pang (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chang Sheng-Kai (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lee Hsin-Che (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Guo Po-Tsun (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Thiyagu Subramani (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin Ching-Fuh (Graduate Institute of Electronics Engineering and the Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 1  ページ： 184-190  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逐次堆積プロセスは,ペロブスカイト膜のより良い均一性と完全な表面被覆のために,平面構造ペロブスカイト太陽電池を作製するために広く使用されている。しかし,ペロブスカイトの結晶化を微細に制御することは困難である。ここでは,低圧近接蒸発法を用いて逐次堆積過程を改善した。ペロブスカイト(CH_3NH_3PbI_3)の遅い粒成長速度は,大きい結晶化と高品質のペロブスカイト膜を作る。さらに,著者らは,革新的二重側面相互拡散プロセスを操作して,それは,連続的にCH_3NH_3I/PbI_2/CH_3NH_3Iを堆積して,ペロブスカイト層を製造した。このようにして,PbI_2は二重側からペロブスカイトに効果的に変換され,表面上のCH_3NH_3I堆積の良好な制御を達成することができる。デバイスは14%以上の効率に達し,低圧アプローチにより作製したTiO_2フリーセルに対して初めてである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平面構造 ,  結晶成長 ,  表面被覆 ,  *蒸発 ,  結晶化 ,  *ヘテロ接合 ,  拡散過程 ,  *低圧
準シソーラス用語： 高品質 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低圧 ,  蒸発 ,  ヘテロ接合 ,  ペロブスカイト太陽電池