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J-GLOBAL ID：201902291263689767   整理番号：19A1873423

ナノビームX線回折を用いた修正NaフラックスGaN結晶の成長方向における格子面微細構造の定量分析

Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

著者 (9件)： SHIDA Kazuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO Nozomi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOHEI Tetsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IMANISHI Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yusuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUMITANI Kazushi (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  IMAI Yasuhiko (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  KIMURA Shigeru (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  SAKAI Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SCCB16.1-SCCB16.6  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： X線回折 ,  *窒化ガリウム ,  フラックス法 ,  化合物半導体 ,  *LPE成長 ,  構造 ,  結晶構造 ,  転位【結晶】 ,  *微細構造 ,  単結晶
準シソーラス用語： XRD ,  *GaN ,  液相エピタキシャル成長 ,  シンクロトロン放射光X線回折 ,  局所構造

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (31件)：

• K. A. Jones, T. P. Chow, M. Wraback, M. Shatalov, Z. Sitar, F. Shahedipour, K. Udwary, and G. S. Tompa, J. Mater. Sci. 50, 3267 (2015).
• H.-P. Lee, J. Perozek, L. D. Rosario, and C. Bayram, Sci. Rep. 6, 37588 (2016).
• C. H. Wang et al., Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
• T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 28, L5 (1999).
• M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh, J. Cryst. Growth 310, 2308 (2008).

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノビーム ,  X線回折 ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  結晶 ,  成長方向 ,  微細構造 ,  定量分析