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J-GLOBAL ID：201902291374568802   整理番号：19A1416557

無秩序トポロジカル絶縁体超薄膜におけるスピン蓄積【JST・京大機械翻訳】

Spin accumulation in disordered topological insulator ultrathin films

著者 (4件)： Siu Zhuo Bin (Computational Nanoelectronics and Nanodevices Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, National University of Singapore, Singapore) ,  Ho Cong Son (Computational Nanoelectronics and Nanodevices Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, National University of Singapore, Singapore) ,  Tan Seng Ghee (Data Storage Institute, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Singapore) ,  Jalil Mansoor B. A. (Computational Nanoelectronics and Nanodevices Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, National University of Singapore, Singapore)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 7  ページ： 073903-073903-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー絶縁体(TI)超薄膜は,前者が,異なる表面に局在する表面状態が,膜の有限厚さを横切って互いに結合できる上部と底部表面の両方を持つ,より一般的に研究された半無限バルクTIと異なる。面内磁化の存在下で,TI薄膜は,表面間結合または磁化が強い二つの異なる相を示した。本研究では,面内磁化を持つBi_2Se_3 TI薄膜系を考察し,面内電場による膜表面上のスピン蓄積を数値的に計算した。不純物散乱と頂点補正を含むKubo公式計算を実行するための数値スキームを記述した。磁化に垂直な面内方向の2つの表面上のスピン蓄積の和は,電荷中性点付近のFermiエネルギーにおいて反対称であり,上部と底部のTI表面間の対称性が破れたときのみ消失することを見出した。一般に,不純物散乱はスピン蓄積の大きさを減少させる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  対称性 ,  *薄膜 ,  磁化 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  電荷 ,  Fermi準位 ,  Kubo公式 ,  *超薄膜
準シソーラス用語： 中性点 ,  不純物散乱 ,  面内磁化 ,  *スピン蓄積 ,  *無秩序性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  超薄膜 ,  スピン蓄積