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J-GLOBAL ID：201902291408009467   整理番号：19A2301174

低しきい値および高収率レーザ発振のためのGaAsナノワイヤにおけるpドーピングの光学的研究【JST・京大機械翻訳】

Optical Study of p-Doping in GaAs Nanowires for Low-Threshold and High-Yield Lasing

著者 (15件)： Alanis Juan Arturo (School of Physics and Astronomy and the Photon Science Institute, The University of Manchester) ,  Lysevych Mykhaylo (Australian National Fabrication Facility, The Australian National University) ,  Lysevych Mykhaylo (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Burgess Tim (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Saxena Dhruv (The Blackett Laboratory, Department of Physics, Imperial College London, United Kingdom) ,  Saxena Dhruv (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Mokkapati Sudha (School of Physics and Astronomy and the Institute for Compound Semiconductors, Cardiff University, United Kingdom) ,  Mokkapati Sudha (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Skalsky Stefan (School of Physics and Astronomy and the Photon Science Institute, The University of Manchester) ,  Tang Xiaoyan (School of Physics and Astronomy and the Photon Science Institute, The University of Manchester) ,  Mitchell Peter (School of Physics and Astronomy and the Photon Science Institute, The University of Manchester) ,  Walton Alex S. (School of Chemistry and the Photon Science Institute, The University of Manchester) ,  Tan Hark Hoe (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Jagadish Chennupati (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University) ,  Parkinson Patrick (School of Physics and Astronomy and the Photon Science Institute, The University of Manchester)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 1  ページ： 362-368  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤは顕著な非放射表面再結合を受ける。しかしながら,重いp型ドーピングは,放射再結合速度を増加させるための実行可能なオプションであり,したがって,発光の量子効率を増加させ,室温レーザ発振の実証を可能にすることが証明されている。大規模光学技術を用いて,成長とレーザ発振特性に及ぼすドーピングの効果を理解し定量化するために,ZnドープGaAsナノワイヤを研究した。ドーピングレベルの関数として内部量子効率(IQE)をモデル化することにより,非放射再結合速度(k_nr)を(0.14±0.04)ps-1と測定した。相関法を適用することにより,レーザ発振挙動を決定する重要な制御可能パラメータとしてドーピングとナノワイヤ長を同定し,p≧3×10~18cm~3の信頼できる室温レーザ発振と≧4μmの長さを得た。約10μJ cm-2の最良クラス内コアのみの近赤外ナノワイヤレーザ発振閾値を報告し,データ誘導フィルタリングステップを用いて,90%以上のレーザ発振収率をもつナノワイヤのサブセットを簡単に同定する方法を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  量子効率 ,  *レーザ発振 ,  *ヒ化ガリウム ,  部分集合 ,  *ナノワイヤ ,  *ドーピング ,  近赤外線 ,  亜鉛 ,  発光
準シソーラス用語： 非放射再結合 ,  内部量子効率 ,  放射再結合 ,  表面再結合 ,  半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： III-Vナノワイヤレーザ ,  PL ,  ドーピング

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： しきい値 ,  収率 ,  レーザ発振 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  ドーピング ,  光学 ,  研究