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J-GLOBAL ID：201902291592323047   整理番号：19A1408286

二次元分子結晶半導体を用いた強誘電有機トランジスタメモリの高速化【JST・京大機械翻訳】

Speed up Ferroelectric Organic Transistor Memories by Using Two-Dimensional Molecular Crystalline Semiconductors

著者 (12件)： Song Lei (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Yu (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Gao Qian (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Guo Yu (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Qijing (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Qian Jun (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Jiang Sai (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wu Bing (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Wang Xinran (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Shi Yi (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Zheng Youdou (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China) ,  Li Yun (National Laboratory of Solid-State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 21  ページ： 18127-18133  発行年： 2017年05月31日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体有機電界効果トランジスタ(Fe-OFET)は,不揮発性メモリ素子におけるそれらの有望な可能性のために,集中的な注意を引き付けている。二元状態間の高速スイッチングはFe-OFETメモリの評価における重要な基本的特徴である。ここでは,トランジスタ素子における導電性チャネルとして溶液ベースのプロセスにより2D分子結晶を用い,その中で強誘電体高分子がゲート誘電体として作用する。5.6cm~2V~-1s-1までの高いキャリア移動度と10~6の高いオン/オフ比を得た。さらに,超薄2D分子結晶による効率的な電荷注入は,Fe-OFETsにおける迅速な操作を達成するのに有益である。デバイスは,オンからオフ状態へ,およびオフ状態からオン状態まで,それぞれ~2.9および~3.0msの短いスイッチング時間を示した。結果として,提示した戦略は,溶液処理した2D分子結晶を用いることにより,Fe-OFETメモリ素子を高速化することができる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高速化 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  ゲート絶縁膜 ,  チャネル ,  導電性 ,  *記憶装置 ,  *半導体 ,  記憶素子 ,  *高速度 ,  強誘電体 ,  *分子結晶
準シソーラス用語： オン状態 ,  オフ状態 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D分子結晶 ,  強誘電有機電界効果トランジスタメモリ ,  不揮発 ,  高速有機トランジスタメモリ ,  溶液処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子 ,  結晶半導体 ,  有機トランジスタ ,  高速化