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J-GLOBAL ID：201902291608314623   整理番号：19A0628390

紫外線照射と直流バイアス電圧下のTiO_2薄膜上の濡れ性スイッチングの加速【JST・京大機械翻訳】

Acceleration of wettability switching on TiO₂ thin films under ultraviolet irradiation and direct current bias voltage

著者 (2件)： Kobayashi Taizo (Faculty of Science and Engineering, Department of Mechanical Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Konishi Satoshi (Faculty of Science and Engineering, Department of Mechanical Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 363  ページ： 80-86  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,TiO_2薄膜の光応答性濡れ性スイッチングの加速に及ぼす紫外線(UV)光照射と直流(DC)バイアス電圧の組合せの結果を報告した。以前に報告された濡れ性スイッチングの機構によると,親水性表面終端は,光生成ホールとTiO_2表面上の架橋酸素サイトの間の反応によって引き起こされる。本研究では,TiO_2薄膜にDCバイアス電圧を印加して,吸収サイトの発生を増加させ,加速するために,TiO_2表面に向かって正孔を意図的に分極させる効果を調べた。疎水性状態から親水性状態への接触角の濡れ性スイッチング幅は,UV照射のみで処理したTiO_2薄膜と比較して,0.9VのDCバイアス電圧とUV照射を組み合わせることにより,実質的に2倍になり,接触角のスイッチング時間は約1/10に減少した。TiO_2光触媒に基づくこの光応答性濡れ性スイッチングは,スイッチング幅の増幅と表面のスイッチング応答の加速が実用化のために重要であるので,無線液体操作のための有望な技術である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光触媒 ,  *直流 ,  *紫外線照射 ,  *スイッチング ,  疎水性 ,  *紫外線 ,  *薄膜 ,  正孔 ,  親水性 ,  接触角 ,  *濡れ
準シソーラス用語： 光応答 ,  *バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 濡れ性スイッチング ,  TiO_2 ,  反応性スパッタリング ,  DCバイアス電圧 ,  アナターゼ ,  ルチル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 紫外線照射 ,  直流 ,  バイアス電圧 ,  薄膜 ,  濡れ性 ,  スイッチング ,  加速