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J-GLOBAL ID：201902291815858538   整理番号：19A1888620

ナノ工学による結合InGaN QW-QDナノ構造における緑色発光の管理【JST・京大機械翻訳】

Managing Green Emission in Coupled InGaN QW-QDs Nanostructures via Nanoengineering

著者 (15件)： Su Z. C. (Department of Physics, The University of Hong Kong) ,  Su Z. C. (Shenzhen Institute of Research and Innovation (HKU-SIRI), The University of Hong Kong) ,  Su Z. C. (HKU-CAS Joint Laboratory on New Materials, The University of Hong Kong) ,  Wang Z. L. (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Yu J. D. (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Yi Y. (Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, China) ,  Wang M. Z. (Department of Physics, The University of Hong Kong) ,  Wang M. Z. (Shenzhen Institute of Research and Innovation (HKU-SIRI), The University of Hong Kong) ,  Wang M. Z. (HKU-CAS Joint Laboratory on New Materials, The University of Hong Kong) ,  Wang L. (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Luo Y. (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, China) ,  Wang J. N. (Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, China) ,  Xu S. J. (Department of Physics, The University of Hong Kong) ,  Xu S. J. (Shenzhen Institute of Research and Innovation (HKU-SIRI), The University of Hong Kong) ,  Xu S. J. (HKU-CAS Joint Laboratory on New Materials, The University of Hong Kong)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 40  ページ： 22523-22530  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層として結合InGaN QW-QDナノ構造を利用し,設計することにより,高温で4.5nm GaN障壁層を持つハイブリッドナノ構造における緑色発光の顕著な増強の実証を示した。このような増強はQWからQDへの励起子の温度依存フォノン支援トンネリングと4.5nm障壁層を持つ試料中のQD層に局在する励起子の無放射再結合の抑制に起因する。本研究は高効率InGaN系緑色LEDの最適化設計に有用であり,InGaN QW-QDハイブリッドナノ構造における複雑な内部ルミネセンス機構に光を当てることもできる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性層 ,  温度依存性 ,  フォノン ,  最適設計 ,  *ナノ構造 ,  トンネル効果 ,  励起子 ,  ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  高温
準シソーラス用語： 緑色LED ,  放射再結合 ,  バリア層 ,  *緑色発光 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 工学 ,  InGaN ,  ナノ構造 ,  緑色発光