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J-GLOBAL ID：201902291892322382   整理番号：19A1258080

単層カーボンナノチューブにおける光電流【JST・京大機械翻訳】

Photocurrent in single walled carbon nanotubes

著者 (4件)： Shah Khurshed A. (Department of Physics, Sri Pratap College, Cluster University Srinagar, J&K-190001, India) ,  Shunaid Parvaiz M. (Department of Physics, Sri Pratap College, Cluster University Srinagar, J&K-190001, India) ,  Shunaid Parvaiz M. (Department of Physics, University of Kashmir, Srinagar, J&K-190006, India) ,  Dar G.N. (Department of Physics, University of Kashmir, Srinagar, J&K-190006, India)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 383  号： 18  ページ： 2207-2212  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素ベースのナノ材料はそれらの独特の構造的および物理的性質のために多くの注目を集めている。本研究では,半導体単層カーボンナノチューブにおける光応答を密度汎関数理論を用いて調べた。発生した光電流は一定流束で電極電圧の増加と共に増加することが分かった。全てのモデルにおいて,電流は印加電圧と共に一様に増加し,電流の最大値は元のCNTモデルで見られたが,均一窒素とホウ素ドープモデルでは光電流の大きさは減少した。さらに,光電流はCNTsにおける光抵抗特性を示すフラックスの増加と共に増加した。スペクトルピークは,将来のオプトエレクトロニクスデバイスにおける広い範囲の応用のために,3つのモデル舗装において異なる波長で現れる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  密度汎関数法 ,  オプトエレクトロニクス ,  *単層カーボンナノチューブ ,  ナノ材料 ,  波長 ,  *光電流 ,  *電流 ,  半導体 ,  炭素 ,  舗装 ,  スペクトル
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SWCNT ,  光電流 ,  オプトエレクトロニクス ,  DFT ,  シミュレーション ,  ドーピング

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層カーボンナノチューブ ,  光電流