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J-GLOBAL ID：201902291899122915   整理番号：19A2622307

単層WSe₂トランジスタにおける光誘起ドーピング

Photoinduced doping in monolayer WSe₂ transistors

著者 (7件)： WU Zhangting (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  HONG Jintao (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  JIANG Jie (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHENG Peng (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHENG Liang (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  NI Zhenhua (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG Yang (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 9  ページ： 094005.1-094005.5  発行年： 2019年09月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリアのタイプと濃度の変調は,2D電子と光電子デバイスにとって基本的に重要である。レーザ照射とゲートバイアスの組合せによる単層WSe₂トランジスタの光誘起ドーピングを報告し,さらに光ルミネセンス測定により確認した。この方式は数百秒以内に完了でき,可逆的なドーピング変調を達成できる。FETの低温,過渡応答,および保持特性における光学的性質は,観測された光誘起ドーピングが主に不完全なWSe₂/SiO₂界面におけるトラップサイトと剥離誘起変形に起因することを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  *単一層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *光照射 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  二次元電子ガス ,  固体素子 ,  レーザ照射 ,  バイアス ,  光ルミネセンス ,  光学的性質 ,  二酸化ケイ素 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *セレン化タングステン ,  光誘起 ,  光電子デバイス ,  ゲートバイアス ,  界面トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  トランジスタ ,  光誘起 ,  ドーピング