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J-GLOBAL ID：201902291986382023   整理番号：19A1415287

有望な熱電材料としての二次元InSe【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional InSe as a potential thermoelectric material

著者 (3件)： Hung Nguyen T. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Nugraha Ahmad R. T. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Saito Riichiro (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 9  ページ： 092107-092107-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層セレン化インジウム(InSe)の熱電特性を,Fermiエネルギーと結晶配向の関数としてBoltzmann輸送理論と第一原理計算を用いて調べた。p型(n型)単分子層InSeの最大力率は,アームチェア方向において300Kで0.049(0.043)W/K~2mと大きいことが分かった。単層InSeの優れた熱電性能はSeebeck係数と電気伝導率の両方に起因する。大きなSeebeck係数は,間接ギャップ半導体としての単分子層InSeの中程度(約2eV)バンドギャップから生じ,一方,その大きな電気伝導率は,伝導帯底近くのほぼ一定のDOSと価電子帯頂部近くの鋭いピークから成る,その独特の二次元状態密度(DOS)に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態密度 ,  半導体 ,  電気伝導率 ,  単分子層 ,  単一層 ,  *熱電材料 ,  *二次元 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  結晶方位
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  第一原理計算 ,  セレン化インジウム ,  *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 熱電材料 ,  InSe