文献

J-GLOBAL ID：201902291988675945   整理番号：19A2090824

ガリウムイオン注入のためのソース材料と方法【JST・京大機械翻訳】

Source Materials and Methods for Gallium Ion Implantation

著者 (5件)： Tang Ying (Entegris Inc., CT 06810, Danbury, USA) ,  Yedave Sharad (Entegris Inc., CT 06810, Danbury, USA) ,  Byl Oleg (Entegris Inc., CT 06810, Danbury, USA) ,  Despres Joseph (Entegris Inc., CT 06810, Danbury, USA) ,  Sweeney Joseph (Entegris Inc., CT 06810, Danbury, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IIT  ページ： 215-218  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム(Ga)を,ゲルマニウム(Ge)とシリコンゲルマニウム(SiGe)におけるより高い固体溶解度のため,ホウ素(B)への代替p型ドーパントとして研究した。これは,性能改善のための先進半導体デバイスに使用される。先進的なPMOSデバイスにおける最近の進歩は,超低接触抵抗率がガリウムドーピング[1,2]によって達成できることを報告した。イオン注入に対して,ガス状ドーパント源は一般的に優先されるが,ガリウム注入に対しては,最も一般的な実用的アプローチは,イオン源プラズマに位置する固体ガリウム化合物ターゲットを用いることである。次に,不活性またはフッ化物含有ガスを,物理的スパッタリングおよび/または化学反応を固体ガリウムターゲットで発生させることを可能にした。本研究では,ガス源材料としてトリメチルガリウム(TMGまたはTMGa)-Ga(CH_3)_3を,異なるガスおよびガス混合物と組み合わせて,多重固体ガリウム化合物ターゲットと同様に調べた。ガリウムのビーム電流性能とソース条件は,潜在的な性能の利点を示すことが報告されている。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固溶度 ,  イオン源 ,  ドーパント ,  多重化 ,  プラズマ ,  ガリウム化合物 ,  フッ化物 ,  半導体素子 ,  スパッタリング ,  *ガリウム ,  化学反応 ,  *イオン注入 ,  混合気体
準シソーラス用語： ビーム電流 ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  電動機  (NB07030U)

タイトルに関連する用語 (3件)： ガリウム ,  イオン注入 ,  ソース