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J-GLOBAL ID：201902292041620632   整理番号：19A1889274

有機太陽電池における開回路電圧制御のためのドーピング【JST・京大機械翻訳】

Doping for Controlling Open-Circuit Voltage in Organic Solar Cells

著者 (3件)： Shintaku Naoto ,  Hiramoto Masahiro ,  Izawa Seiichiro
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 122  号： 10  ページ： 5248-5253  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピング,微量のp型およびn型不純物の添加は,pn接合を形成するために,無機太陽電池の中心技術である。しかし,エネルギー準位アラインメントと有機太陽電池(OSC)における性能に及ぼすドーピング効果は依然として不明である。ここでは,フタロシアニン/フラーレン平面ヘテロ接合OSCにおけるドナー層へのp型(MoO_3)とn型(Cs_2CO_3)ドーパントの添加が開回路電圧(V_OC)を制御することを報告する。p型ドーパントをドナー層に添加するとV_OCは0.36Vに減少したが,n型ドーパントでは0.52Vに増加した。p型ドーパントが通常ドナー層に添加された以前の報告とは対照的に,n型ドーパントはV_OCを増加させることが分かった。エネルギー準位マッピングは,V_OC変化の起源がFermi準位アラインメントのためにドナー/アクセプタ(D/A)界面近くで起こる真空準位シフトであることを明らかにした。その結果,OSCs中のV_OCは,p型およびn型ドーピングにより制御できるD/A界面近傍のエネルギー準位シフトにより大きく影響されることを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  ヘテロ接合 ,  ドーパント ,  界面 ,  アラインメント ,  ドナー ,  アクセプタ ,  Fermi準位 ,  P型半導体 ,  *ドーピング ,  エネルギー準位 ,  *太陽電池 ,  n型ドーピング ,  ドーピング効果 ,  *有機太陽電池
準シソーラス用語： *開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機太陽電池 ,  開回路電圧 ,  ドーピング