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J-GLOBAL ID:201902294414641929   整理番号:19A1339581

単層GeSにおける熱輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Thermal transport properties in monolayer GeS
著者 (4件):
資料名:
巻: 383  号: 21  ページ: 2499-2503  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0600B  ISSN: 0375-9601  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Boltzmann輸送方程式と組み合わせた第一原理技法を用いて,単層GeSの熱輸送特性を調べた。計算された格子熱伝導率κLは,x(y)軸に沿って,300Kで11.76(12.53)Wm~-1K~-1であり,それは,ホスホレン,単層MoS_2,グラフェンなどの値よりはるかに低い。著者らの解析は,低格子熱伝導率が強い3フォノン散乱過程と低フォノン群速度から生じることを明らかにした。GeSの弱い異方性のために,xとy軸に沿った熱輸送に対する各フォノン分枝の寄与を調べ,縦音響(LA)モードがx軸に沿った全κLの大部分に寄与し,横音響(TA)分枝がy軸に沿った全κLに最大寄与することを見出した。さらに,ナノリボン幅に関する熱伝導率のサイズ依存性もナノメータ素子の設計のために研究した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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