文献

J-GLOBAL ID：201902295209313564   整理番号：19A1415458

粒界伝導によって引き起こされたPZT薄膜における過渡電流の予想外の挙動【JST・京大機械翻訳】

Unexpected behavior of transient current in thin PZT films caused by grain-boundary conduction

著者 (5件)： Delimova L. A. (Division of Solid State Electronics, Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russian Federation) ,  Guschina E. V. (Division of Solid State Physics, Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russian Federation) ,  Seregin D. S. (Moscow Technological University (MIREA), 119454 Moscow, Russian Federation) ,  Vorotilov K. A. (Moscow Technological University (MIREA), 119454 Moscow, Russian Federation) ,  Sigov A. S. (Moscow Technological University (MIREA), 119454 Moscow, Russian Federation)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 22  ページ： 224104-224104-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の結晶粒構造を有するPb(ZrTi)O_3(PZT)膜における種々の予備分極における過渡電流の挙動を研究した。結晶粒構造に影響を及ぼすために,PZT膜を,低Pb過剰のシード層と30wt%Pb過剰の主層の組合せを用いた二段階結晶化プロセスによる化学溶液堆積により調製した。いくつかの膜を全ての堆積層中に固定したPb過剰で調製した。鉛過剰とシード層結晶構造は粒界伝導に影響を与え,過渡電流の分極依存性と電流-電圧曲線におけるいわゆる負の微分抵抗領域のように見える電流ピークの出現に影響を及ぼすことが分かった。PZT膜における電流ピークの出現は,(i)結晶粒界に沿った強誘電相(結晶粒)または外部の電流,(ii)印加バイアス方向が偏光ベクトルに平行または反対であるかどうかに依存することを示した。粒界伝導と電流分極依存性の間の相関を,導電性原子間力顕微鏡により測定した局所電流分布により確認した。過渡電流の特定の特徴と電流ピークの出現に関与する可能な機構を論じた。電流の挙動に及ぼす粒界伝導の影響は顕著であり,読み出し動作が正バイアス下での分極スイッチング電流の大きさの位置決めを仮定する強誘電体ランダムアクセスメモリにおいて考慮すべきである。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分極反転 ,  バイアス ,  電圧 ,  強誘電体 ,  分極 ,  *薄膜 ,  RAM【メモリ】 ,  *電流 ,  *結晶粒界 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  結晶粒 ,  結晶構造 ,  結晶化
準シソーラス用語： シード層 ,  *過渡電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 粒界 ,  伝導 ,  PZT ,  薄膜 ,  過渡電流 ,  予想 ,  挙動