特許

J-GLOBAL ID：201903000278472011

半導体基板の製造方法

発明者： 澤田 佳宏 ,  真下 峻一
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-195931
公開番号（公開出願番号）：特開2019-117925
出願日： 2018年10月17日
公開日（公表日）： 2019年07月18日
要約：

【課題】ホウ素化合物を含有する不純物拡散成分を含む拡散剤組成物かなる塗布膜を半導体基板上に形成した後に、半導体基板を加熱することにより半導体基板に不純物拡散成分を拡散させる方法であって、塗布膜が膜厚10nm以下の薄膜であっても、ホウ素の拡散の制御をしやすくできる、半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】ホウ素化合物を含有する不純物拡散成分を含む拡散剤組成物を半導体基板上に膜厚が10nm以下であるように塗布した後に、半導体基板を加熱することにより半導体基板にホウ素を拡散させる方法において、塗布膜の形成と、加熱による不純物拡散成分の拡散との間に、半導体基板に対して所定の条件での拡散前加熱処理を行うか、塗布膜の形成後の半導体基板を、不純物拡散成分の拡散を開始させる温度まで、特定の昇温速度以下で昇温する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

不純物拡散成分(A)としてホウ素化合物を含有する拡散剤組成物を用いる、ホウ素が拡散された半導体基板の製造方法であって、 半導体基板上に前記拡散剤組成物を塗布することによる塗布膜の形成と、 前記拡散剤組成物中の不純物拡散成分(A)の、前記半導体基板への拡散と、を含み、 前記塗布膜の膜厚が10nm以下であり、 前記塗布膜の形成後から、前記不純物拡散成分(A)の拡散の開始の間に、前記半導体基板を加熱する拡散前加熱処理を行うことを含み、 前記拡散前加熱処理が、400°C以上700°C以下、5秒以上1分以下の加熱処理である、半導体基板の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/225

FI (2件)：

H01L21/225 R ,  H01L21/225 Q