特許
J-GLOBAL ID：201903000534303761
窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-159987
特許番号：特許第6595676号
出願日： 2018年08月29日
要約：
【課題】窒化物半導体基板の主面における転位密度を効率よく低減させる。
【解決手段】下地基板を準備する工程と、下地基板の主面上に、所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、(0001)面以外の一対の傾斜界面で挟まれ(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上にマスク層の開口部を介してエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、マスク層の開口部の上方に、複数の谷部および複数の頂部を形成する。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】気相成長法を用いた窒化物半導体基板の製造方法であって、
III族窒化物半導体の単結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の前記主面上に、複数の開口部を有するマスク層を形成する工程と、
前記(0001)面以外の一対の傾斜界面で挟まれ前記(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を前記下地基板の前記主面上に前記マスク層の前記開口部を介してエピタキシャル成長させ、前記(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を前記頂面に生じさせ、前記下地基板の前記主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、前記(0001)面を前記頂面から消失させ、表面が前記傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、
前記第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、前記傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、
を有し、
前記第1工程では、
前記単結晶の前記頂面に前記複数の凹部を生じさせ、前記(0001)面を消失させることで、前記マスク層の前記複数の開口部のうちそれぞれ1つの開口部の上方に、少なくとも1つの谷部および複数の頂部を形成し、
前記主面に垂直な任意の断面を見たときに、前記谷部の1つを挟んで前記複数の頂部のうちで最も接近する一対の頂部同士が前記主面に沿った方向に離間した平均距離を、100μm超とする
窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 25/04 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C30B 25/04
