特許
J-GLOBAL ID：201903001332566821
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤谷 修
, 一色 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-012756
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135215
特許番号：特許第6500239号
出願日： 2016年01月26日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】n型半導体層と、
前記n型半導体層の上の発光層と、
前記発光層の上のp型半導体層と、
前記n型半導体層から前記p型半導体層まで達する複数のピットと、
を有し、
前記n型半導体層は、
前記発光層から遠い側から、n型GaN層、第1のn型AlGaN層、ud-AlGaN層、ud-GaN層、n型GaN層の順で形成された半導体層を有し、
前記第1のn型AlGaN層は、
前記複数のピットの起点を含むこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/24 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
