特許

J-GLOBAL ID：201903001494177446

炭化珪素基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 松本 直樹 ,  沖田 恭子
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-030772
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152423
特許番号：特許第6597381号
出願日： 2016年02月22日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 炭化珪素インゴットを準備する工程と、 ワイヤによって前記炭化珪素インゴットを切断する工程とを備え、 前記炭化珪素インゴットのポリタイプは、4H-SiCであり、 前記炭化珪素インゴットは、頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面および前記底面の間の側面とを含み、 前記底面から前記頂面に向かう方向は、[0001]方向に対して平行または8°以下傾斜した方向であり、 前記炭化珪素インゴットを切断する工程においては、(000-1)面側の前記側面から切断し始め、かつ前記底面から前記頂面に向かう方向から見て、[1-100]方向と[11-20]方向とがなす角度を2等分する方向から±5°以内の方向と平行な直線に沿って、前記炭化珪素インゴットが切断される、炭化珪素基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B24B 27/06 ( 200 6.01) ,  B28D 5/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/304 611 W ,  B24B 27/06 H ,  B28D 5/04 C