特許

J-GLOBAL ID：201903001543941220

穴あき基板の製造方法および穴あき基板製造システム

発明者： 松坂 壮太 ,  青山 拓樹 ,  小高 大樹 ,  川村 拓史
出願人/特許権者： 国立大学法人千葉大学 ,  ウシオ電機株式会社
代理人 (2件)： 小西 恵 ,  永岡 重幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017046710
公開番号（公開出願番号）：WO2018-124097
出願日： 2017年12月26日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
要約：

基板に微小サイズの穴を効率よく形成する。穴あき基板の製造方法の一態様は、基板の表面の一部に配置された金属をその基板内に電圧印加で注入し、注入した金属をその基板内に、上記電圧印加と同じ又は別の電圧印加で析出させる析出工程と、上記基板内に析出した金属をエッチングで溶かすことにより上記基板に穴を形成する穴形成工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

基板の表面の一部に配置された金属を該基板内に電圧印加で注入し、注入した金属を該基板内に、前記電圧印加と同じ又は別の電圧印加で析出させる析出工程と、 前記基板内に析出した金属をエッチングで溶かすことにより前記基板に穴を形成する穴形成工程と、 を備えたことを特徴とする穴あき基板の製造方法。

IPC (2件)：

C03B 33/02 ,  C03C 15/00

FI (3件)：

C03B33/02 ,  C03C15/00 D ,  C03C15/00 Z

Fターム (7件)：

4G015FA09 ,  4G015FB01 ,  4G015FC10 ,  4G059AA01 ,  4G059AB05 ,  4G059AB07 ,  4G059BB16