特許

J-GLOBAL ID：201903002119988158

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 市川 心人 ,  中田 勝之 ,  三谷 誠司 ,  介川 裕章 ,  宝野 和博 ,  大久保 忠勝
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-015965
公開番号（公開出願番号）：特開2019-145787
出願日： 2019年01月31日
公開日（公表日）： 2019年08月29日
要約：

【課題】トンネルバリア層が安定的に陽イオン不規則化スピネル構造をとる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性層と、第2強磁性層と、これらの間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、前記トンネルバリア層は、MgxAl1-x(0≦x<1)の酸化物であり、前記トンネルバリア層の酸素の量は、前記酸化物が規則化したスピネル構造を持つ完全酸化状態における酸素の量よりも低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1強磁性層と、第2強磁性層と、これらの間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、 前記トンネルバリア層は、MgxAl1-x(0≦x<1)の酸化物であり、 前記トンネルバリア層の酸素の量は、前記酸化物が規則化したスピネル構造を持つ完全酸化した完全酸化状態における酸素の量よりも低い、磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z

Fターム (20件)：

5F092AA05 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性トンネル接合体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-228904   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 磁気抵抗効果素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-016450   出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド