特許

J-GLOBAL ID：201903002185450843

光電変換素子及び光電変換素子の製造方法

発明者： 福田 将典
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018012813
公開番号（公開出願番号）：WO2018-181499
出願日： 2018年03月28日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

本開示の光電変換素子の製造方法は、n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、 前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、 前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、 前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、 を含む、光電変換素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/022 ,  H01L 31/074

FI (2件)：

H01L31/04 260 ,  H01L31/06 455

Fターム (23件)：

5F151AA02 ,  5F151AA05 ,  5F151BA14 ,  5F151CA14 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151DA10 ,  5F151DA20 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA17 ,  5F151FA21 ,  5F151HA07