特許

J-GLOBAL ID：201903002268267110

転位発生予測方法およびデバイス製造方法

発明者： 藤瀬 淳 ,  小野 敏昭 ,  高 奉均
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  川原 敬祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-136236
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006708
特許番号：特許第6544308号
出願日： 2016年07月08日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程において前記半導体基板中に転位が発生するか否かを予測する方法であって、 前記半導体基板における応力集中点を含む領域の応力分布を算出し、算出した前記応力分布から前記応力集中点の応力拡大係数Kを算出し、算出した前記応力拡大係数Kと、前記応力集中点において転位が発生する臨界の応力拡大係数Kcriとを比較して、前記応力集中点において転位が発生するか否かを予測し、 前記応力拡大係数Kの算出は、τ:応力、r:前記応力集中点からの距離、λおよびτA:定数とする下記式(α)および前記応力分布を用い、前記K、λおよびτAをフィッティングパラメータとした重回帰分析により行うことを特徴とする転位発生予測方法。

IPC (3件)：

H01L 21/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G06F 17/50 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/00 ,  H01L 21/66 Z ,  G06F 17/50 612 H ,  G06F 17/50 666 S