特許
J-GLOBAL ID:201903002319795486
太陽電池セル、及び、太陽電池セルの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-033044
公開番号(公開出願番号):特開2019-149444
出願日: 2018年02月27日
公開日(公表日): 2019年09月05日
要約:
【課題】製造時の困難を伴わずに、改善された光電変換効率を有する太陽電池セルを提供する。【解決手段】太陽電池セルは、裏面接合型の太陽電池セルであって、光が入射する受光面20、及び、受光面20と背向する裏面30を有する半導体基板10と、裏面30の一部分の上に配置されたn型半導体層と、裏面30のn型半導体層が配置されていない部分の上に配置されたp型半導体層とを備える。そして、受光面20は、複数の凸部22からなる凹凸構造21を有し、裏面30は、複数の凸部32からなる凹凸構造31を有し、半導体基板10を厚み方向に切断した断面において、凹凸構造31における凸部32の傾斜角θ2は、凹凸構造31における凸部22の傾斜角θ1より小さい。【選択図】図3
請求項(抜粋):
裏面接合型の太陽電池セルであって、
光が入射する受光面、及び、前記受光面と背向する裏面を有する半導体基板と、
前記裏面の一部分の上に配置されたn型半導体層と、
前記裏面の前記n型半導体層が配置されていない部分の上に配置されたp型半導体層とを備え、
前記受光面は、複数の第一の凸部からなる第一の凹凸構造を有し、
前記裏面は、複数の第二の凸部からなる第二の凹凸構造を有し、
前記半導体基板を厚み方向に切断した断面において、前記第二の凹凸構造における前記第一の凸部の傾斜角は、前記第一の凹凸構造における前記第二の凸部の傾斜角より小さい
太陽電池セル。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA08
, 5F151CB21
, 5F151DA07
, 5F151DA10
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
前のページに戻る