特許

J-GLOBAL ID：201903002593606690

ポリシルセスキオキサン被覆シリコンナノ粒子又はその焼成物及びその製造方法、リチウムイオン電池用負極活物質、リチウムイオン電池用負極、及びリチウムイオン電池

発明者： 高野 義人 ,  木崎 哲朗 ,  山田 浩綱 ,  近藤 正一 ,  高橋 彬
出願人/特許権者： JNC株式会社 ,  JNC石油化学株式会社
代理人 (1件)： 上村 陽一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018000348
公開番号（公開出願番号）：WO2018-131608
出願日： 2018年01月10日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：

体積基準平均粒径が10nmを超え500nm未満であり、且つ粒径が1000nm以上の粒子を含まないシリコンナノ粒子と、前記シリコンナノ粒子を被覆し、前記シリコンナノ粒子の表面に化学的に結合しているポリシルセスキオキサンとを含み、Si-H結合を有し、透過型電子顕微鏡(TEM)で観察される、前記ポリシルセスキオキサンの厚さが、1nm以上30nm以下である、ポリシルセスキオキサン被覆シリコンナノ粒子又はその焼成物である。

請求項（抜粋）：

体積基準平均粒径が10nmを超え500nm未満であり、且つ粒径が1000nm以上の粒子を含まないシリコンナノ粒子と、前記シリコンナノ粒子を被覆し、前記シリコンナノ粒子の表面に化学的に結合しているポリシルセスキオキサンとを含み、 Si-H結合を有し、 透過型電子顕微鏡(TEM)で観察される前記ポリシルセスキオキサンの厚さが、1nm以上30nm以下である、ポリシルセスキオキサン被覆シリコンナノ粒子又はその焼成物。

IPC (4件)：

C01B 33/113 ,  C01B 33/02 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/36

FI (4件)：

C01B33/113 Z ,  C01B33/02 Z ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C

Fターム (38件)：

4G072AA01 ,  4G072AA50 ,  4G072BB05 ,  4G072DD03 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH30 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072MM22 ,  4G072MM33 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02 ,  4G072UU30 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB11 ,  5H050DA09 ,  5H050EA01 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05