特許

J-GLOBAL ID：201903002805637523

炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板およびその製造方法

発明者： 寺川 光洋 ,  中島 康貴
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-092489
公開番号（公開出願番号）：特開2019-196295
出願日： 2018年05月11日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：

【課題】新規な炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板の製造方法の提供。【解決手段】炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板の製造方法は、ポリジメチルシロキサン基板にレーザ光を照射することにより、前記ポリジメチルシロキサン基板に炭化ケイ素からなる改質部を形成する工程を含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ポリジメチルシロキサン基板にレーザ光を照射することにより、前記ポリジメチルシロキサン基板に炭化ケイ素からなる改質部を形成する工程を含む、炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 32/977 ,  B23K 26/53 ,  C30B 29/36 ,  C30B 1/10 ,  B23K 26/00

FI (6件)：

C01B32/977 ,  B23K26/53 ,  C30B29/36 A ,  C30B1/10 ,  B23K26/00 G ,  B23K26/00 N

Fターム (32件)：

4E168AE02 ,  4E168CA06 ,  4E168CB07 ,  4E168CB22 ,  4E168DA02 ,  4E168DA03 ,  4E168DA04 ,  4E168DA06 ,  4E168DA27 ,  4E168DA40 ,  4E168DA46 ,  4E168DA47 ,  4E168JA17 ,  4E168KA04 ,  4G077AA04 ,  4G077BE08 ,  4G077CA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA05 ,  4G077JA03 ,  4G077JB12 ,  4G146MA15 ,  4G146MB04 ,  4G146MB07 ,  4G146MB14 ,  4G146MB23 ,  4G146NA14 ,  4G146NA24 ,  4G146NB06 ,  4G146NB11 ,  4G146NB17