特許
J-GLOBAL ID：201903003608254929

半導体装置

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

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野田 耕生

野田 耕生 について

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佐藤 優一

佐藤 優一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-097731
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125571
特許番号：特許第6611854号
出願日： 2018年05月22日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上面に接する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上面に接する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上面に接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上面に接するゲート電極層と、を有し、 前記第2の絶縁層は、酸化物層又は酸化窒化物層であり、 前記第1の絶縁層は、過剰酸素を有し、 前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第2の絶縁層は、第3の領域と、第4の領域と、を有し、 前記第2の領域は、前記酸化物半導体層の端部を有し、 前記第4の領域は、前記第2の絶縁層の端部を有し、 前記第1の領域、前記第3の領域及び前記ゲート電極層は重畳し、 前記第2の領域及び前記第4の領域は重畳し、 前記第2の領域及び前記第4の領域は、リン又はホウ素を有する、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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