特許
J-GLOBAL ID:201903003885810340
半導体装置及び負荷駆動装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人開知国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-019840
公開番号(公開出願番号):特開2017-139361
特許番号:特許第6472399号
出願日: 2016年02月04日
公開日(公表日): 2017年08月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ハイサイドMOSトランジスタと、
ローサイドMOSトランジスタと、
前記ハイサイドMOSトランジスタのドレイン電極に接続される第1の金属配線と、
前記ローサイドMOSトランジスタのソース電極に接続され、前記第1の金属配線と同じ配線幅を有する第2の金属配線と、
前記ハイサイドMOSトランジスタのソース電極及び前記ローサイドMOSトランジスタのドレイン電極に接続される第3の金属配線と、を備え、
前記第3の金属配線の配線幅は、前記第1の金属配線又は前記第2の金属配線の配線幅の21/2〜22/3倍である
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/82 ( 200 6.01)
, H03K 17/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 21/82 W
, H03K 17/08 Z
, H01L 27/04 D
, H01L 27/04 A
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