特許

J-GLOBAL ID：201903004086188595

低欠陥化グラフェン系炭素材料及びその製造方法

発明者： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  深澤 剛
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017043528
公開番号（公開出願番号）：WO2018-105570
出願日： 2017年12月04日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

本発明は、BET法比表面積が50m2g-1以上であり、メソ孔容積が0.05cm3g-1以上であり、かつ欠陥密度が2.5×1011cm-2以下である、グラフェン系炭素材料に関する。C/O原子比は例えば、10〜15000の範囲である。本発明は、(1)酸化グラフェンを低かさ密度化(例えば、かさ密度0.001gcm-3以上、0.08gcm-3未満)する工程、及び(2)工程(1)で得られた低かさ密度化酸化グラフェンをマイクロ波照射処理して欠陥密度の低下したグラフェン系炭素材料を得る工程を含む低欠陥化グラフェン系炭素材料の製造方法に関する。本発明は、比較的大きなメソ孔容積、比較的大きな比表面積に加え、低い欠陥密度を兼ね備えたグラフェン系炭素材料及びその製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

BET法比表面積が50m2g-1以上であり、 メソ孔容積が0.05cm3g-1以上であり、かつ 欠陥密度が2.5×1011cm-2以下である、グラフェン系炭素材料。

IPC (2件)：

C01B 32/192 ,  C01B 32/198

FI (2件)：

C01B32/192 ,  C01B32/198

Fターム (30件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC04A ,  4G146AC04B ,  4G146AC07A ,  4G146AC07B ,  4G146AC08A ,  4G146AC08B ,  4G146AC16B ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AC25B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD22 ,  4G146BA02 ,  4G146BA49 ,  4G146BB01 ,  4G146BB04 ,  4G146BB07 ,  4G146BB12 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC37A ,  4G146BC37B