特許

J-GLOBAL ID：201903004107173755

マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置

発明者： 本村 大成 ,  田原 竜夫 ,  笠嶋 悠司 ,  上杉 文彦
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 松尾 憲一郎 ,  市川 泰央
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017043185
公開番号（公開出願番号）：WO2018-101444
出願日： 2017年11月30日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：

マグネトロンスパッタリング装置の構成を簡略化する。 マグネトロンスパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタリングターゲット、内環状磁石、外環状磁石およびヨークを具備する。スパッタリングターゲットは、真空チャンバ内に配置される。内環状磁石は、スパッタリングターゲットの裏面側に配置されてスパッタリングターゲットの中央部および外縁部の近傍においてそれぞれ異なる極性の磁極を備えることによりスパッタリングターゲットの中央部および外縁部と交差してスパッタリングターゲットの表面側に膨出するループ状磁束を形成する。外環状磁石は、スパッタリングターゲットの裏面側における内環状磁石の外側に配置されてスパッタリングターゲットの外縁近傍におけるループ状磁束を調整する。ヨークは、内環状磁石および外環状磁石を保持する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に配置されるスパッタリングターゲットと、 前記スパッタリングターゲットの裏面側に配置されて前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部の近傍においてそれぞれ異なる極性の磁極を備えることにより前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部と交差して前記スパッタリングターゲットの表面側に膨出するループ状磁束を形成する内環状磁石と、 前記スパッタリングターゲットの裏面側における前記内環状磁石の外側に配置されて前記スパッタリングターゲットの外縁近傍における前記ループ状磁束を調整する外環状磁石と、 前記内環状磁石および前記外環状磁石を保持するヨークと を具備するマグネトロンスパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

C23C14/35 A ,  H05H1/46 A

Fターム (16件)：

2G084AA04 ,  2G084BB23 ,  2G084BB31 ,  2G084CC02 ,  2G084CC33 ,  2G084DD14 ,  2G084DD22 ,  2G084FF21 ,  2G084FF27 ,  2G084FF28 ,  2G084FF31 ,  2G084FF38 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029DC42 ,  4K029DC43